IRFZ40 Mosfet canal N 60V 50A C-N TO-220

Fabricante

Vishay Silicon

Serie

-

Embalaje

Tubo

Estado de pieza

Activo

Tipo FET

CANAL N

Tecnología

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC

50 A

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)

10V

Rds On (máx) @ Id, Vgs

28mOhm a 31A, 10V

Vgs(th) (máx) a Id

4V a 250µA

Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs

67 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds

1900 pF @ 25 V

Característica de FET

-

Disipación de potencia (Máx.)

150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grado

-

Calificación

-

Tipo de montaje

Orificio pasante

Paquete del dispositivo del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja (carcasa)

TO-220