IRFB4115PBF Mosfet Canal N 104A 150V

Fabricante

INFINEON TECHNOLOGIES

Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs

120 nC @ 10 V

Serie

HEXFET

Vgs (máx.)

±20V

Embalaje

Tubo

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds

5270 pF @ 50 V

Estado de pieza

Activo

Disipación de potencia (Máx.)

380W (Tc)

Tipo FET

CANAL N

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tecnología

MOSFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

150 V

Paquete del dispositivo del proveedor

TO-220AB

Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC

104H

Paquete / Caja (carcasa)

TO-220-3

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)

10V

Número de producto base

IRFB4115

Rds On (máx) @ Id, Vgs

11mOhm a 62A, 10V

Mosfet

Transistores