IRFB4321PBF Mosfet Canal N 85A 150V

Fabricante

INFINEOSN TECHNOLOGIES

Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs

110 nC @ 10 V

Serie

HEXFET

Vgs (máx.)

±30V

Embalaje

Tubo

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds

4460 pF @ 50 V

Estado de pieza

Activo

Disipación de potencia (Máx.)

350W (Tc)

Tipo FET

CANAL N

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tecnología

MOSFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

150 V

Paquete del dispositivo del proveedor

TO-220AB

Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC

85H

Paquete / Caja (carcasa)

TO-220-3

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)

10V

Número de producto base

IRFB4321

Rds On (máx) @ Id, Vgs

15mOhm a 33A, 10V

Mosfet

Transistores